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高压电源研发功率电源中器件的温升与极限工作温度

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高压电源研发功率电源中器件的温升与极限工作温度

发布日期:2017-09-11 作者:来源于网络 点击:

高压电源生产厂家功率电源中器件的温升与极限工作温度

熟悉电子电路设计的朋友一定都知道,在电源整体设计中存在一些发热非常严重的器件,如整流桥、MOS管、快恢复二极管这些器件。而在功率电源中,电感和高频变压器则成为了发热现象的重灾区。那么在功率电源中,它们的合理温升应该是多少,在恶劣条件下的极限温升又该是多少呢?

一般来说,电管、变压器类器件的温度都控制在120℃左右。半导体结温控制在0.8,具体的可以参考《GJB/Z35-93元器件降额准则》。

在实际操作中,在室温35℃环境下半导体器件热平衡后,其最高温度不超过80°;磁性器件最高温度不超过90℃。当然“最高温度”测试方法因人而异,该情况使用的是热成像仪。

其实实际上,对于元器件温度的要求,不能用一个笼统的标准来全部概括。很多人在实际操作中发现低频整流桥工作在100℃左右的环境也是没有问题的。其他的功率半导体,则需要看是金属封装还是塑封的,150℃工作温度或者塑封的在最恶劣的情况下,最高温度控制在100℃以内都是没有有问题的。而175℃工作温度或者金属封装的,在最恶劣的情况下,最高温度控制在120℃以内,应该还算是安全的。

高压电源厂家提醒需要特别注意的是,那种“轴线”封装的二极管,特别是肖特基二极管,包括部分TO252封装的肖特基二极管,最高温度控制在100℃显然是不够的。换句话说,降额幅度还应该与封装体积挂钩。封装越大,电压、电流、温度的降额幅度可以越小。

如果关于温度的问题大家还是觉得没有靠谱的说法,那么可以从公式计算的角度来试着分析。首先要考虑的是最恶劣情况下的温度,如最高温度下满载工作,整流桥、MOSFET、快恢复二极管表面温度不要超过110~115℃,或根据经验公式估算结温:Tj=Tc+P*Rthjc(P为MOSFET的功耗,Rthjc为MOSFET结到壳的热阻),结温估算出来对比功率器件规格书最大结温,对比是否满足降额要求即可,电感如果是磁环做的,磁芯和表面不要超过120℃,如果是用EE类的,磁芯线苞温度测内部温度,内部磁芯和线包苞不要超过140℃,有时候带风扇的模块,测表面线苞有时候很凉快,其实内部可能温度非常高,已无法满足安规要求,注意线、胶带、挡墙等材料的温度等级选择。

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