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阐述开关电源的几个大热门关注点

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阐述开关电源的几个大热门关注点

发布日期:2017-11-20 作者:来源于网络 点击:

阐述开关电源的几个大热门关注点

   高压电源生产

   电源一直是电子行业里非常热门的技术,而它的发展趋势又是大家必须时刻关注的问题,不然一不留神就会跟不上技术发展的步伐。下面高压电源生产做了项开关电源技术发展关注焦点调查,得出来以下几个热门关注点,及后续的报道:

 高压电源生产关注点一:功率半导体器件性能

  1998年,Infineon公司推出冷mos管,它采用“超级结”(Super-Junction)结构,故又称超结功率MOSFET。工作电压600V~800V,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。

  IGBT刚出现时,电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内,耐压水平限于1200V~1700V,经过长时间的探索研究和改进,现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A,高压IGBT单片耐压已达到6500V,一般IGBT的工作频率上限为20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT,可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。

  IGBT的技术进展实际上是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同,IGBT在20年历史发展进程中,有以下几种类型:穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。

  碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。

  可以预见,碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。


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