IGBT逆变电路采用双屏蔽措施

发布日期：2018-01-25 作者：来源于网络点击：

　IGBT逆变电路

　　逆变电路由半桥电容C、IGBT、高压变压器、保护元件等组成。IGBT为富士公司的快速系列模块，其型号为1MBH600-100。T为高压变压器，经 IGBT逆变后的方波电压经高压变压器升压到40kV左右的高频交流电压。由于高压线圈的匝数较多，在高频时，寄生电容和自感会影响电源的输出特性，因此须对线圈采取静电屏蔽，另外由于对地电容的作用，束流取样电阻上会叠加一高频交流信号，必须采取补偿措施加以消除。

本电源采用双屏蔽措施来消除束流干扰信号，即在高低压线圈之间加装双层屏蔽，第一层屏蔽接地，第二层接在束流取样电阻上。VL11、R9、C9、VL21、R19、C19组成IGBT的尖峰电压吸收电路，确保IGBT的安全工作。

　　高压电源研发高压整流电路

　　高压整流电路由高频高压硅堆、高压滤波电容器、保护电阻及取样电路组成。由于经高压变压器升压后的电压具有较高的频率，所以选用高频高压快速整流硅堆以满足高频高压整流的需要。滤波电容器选用高压聚苯乙烯电容器，这种电容器具有较小的tgδ及高频性能，对电源的输出特性影响小。

为有效地限制短路电流及电源内部过电压的限流电阻和保护电阻，均采用具有热性能稳定、自感小、通流容量大，具有较强的耐受过电压、电流冲击能力的实体电阻。取样电路中的高压取样信号由精密电阻分压器获得，分压器由精密线绕无感电阻制成，顶部加装屏蔽电极，保证取样电压的稳定。电子束流取样亦通过精密无感线绕电阻制成，两种取样电阻均放在电磁屏蔽盒里，防止干扰信号进入控制电路。

高压电源研发